9月22日，三星电子16号半导体生产线竣工投产。该生产线为全球最大规模半导体生产线，主要产品为20纳米级NAND闪存。据了解，三星电子9月份还将首次实现20纳米级DDR3内存设备的量产，成为全球最早量产20纳米级存储器产品的企业。
    据悉，三星电子16号半导体生产线自去年5月开工建设，经过短短的15个月即投入运行，总面积约为20万平方米，建筑达12层，也是全球最大规模的半导体生产线。三星电子方面表示，三星电子16号半导体生产线今年2月竣工、5月建成洁净室(Clean Room)、6月开始产品测试、8月完备量产系统，计划从9月份起，每月生产1万片以上的12英寸晶圆20纳米高速NAND闪存。有业内人士称，以此为契机，三星电子在巩固其内存领先企业地位的同时，也为全球IT市场注入了新的活力，为今后的发展打下了良好的基础。到今年年末，三星电子将按照NAND闪存的需求，逐渐增加12英寸晶圆的生产规模，明年计划量产10纳米级大容量高速闪存。
    据悉，9月份将实现量产的三星20纳米级DDR3内存拥有与去年7月研发的30纳米级DDR3内存同等性能，同时提高了约50%生产效率，节约了40%以上的耗电量，是名副其实的绿色内存。
    三星计划今年年内研发20纳米级4Gb DDR3内存，明年开始量产4GB、8GB、16GB、32GB等大容量产品。从企业服务器到笔记本电脑，三星将在IT市场上不断扩大绿色内存的比重。
    三星集团李健熙会长、索尼集团中川裕副会长等500余名IT界人士出席了9月22日举行的16号生产线竣工仪式暨20纳米级DDR3内存设备投产仪式。张驰 本文相关推荐冷门半导体器件 半导体技术天地 三星半导体 bopet新生产线投产 信泰半导体 pvc生产线投产 半导体制造技术 电缆生产线 半导体产业。